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MRF8372R1

RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

TheRFLine NPNSiliconRFLowPowerTransistor Designedprimarilyforwidebandlargesignalpredriverstagesin800MHzandUHFfrequencyranges. ?Specified@12.5V,870MHzCharacteristics OutputPower=750mW MinimumGain=8.0dB Efficiency60(Typ) ?State–of–the–ArtTechno

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF8372R1

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝:帶 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF8372R1

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    16V

  • 頻率 - 躍遷:

    870MHz

  • 增益:

    8dB ~ 9.5dB

  • 功率 - 最大值:

    2.2W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 50mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    8-SO

  • 描述:

    RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF8372R1供應商 更新時間2025-4-11 16:08:00