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MRF9002NR2

RF Power Field Effect Transistor Array N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

RFPowerFieldEffectTransistorArray N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplications

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF9002NR2

Package:16-SOP(0.276",7.00mm 寬);包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:RF MOSFET LDMOS 26V 16PFP

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF9002NR2

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    18dB

  • 功率 - 輸出:

    37dBm

  • 封裝/外殼:

    16-SOP(0.276",7.00mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    16-PFP

  • 描述:

    RF MOSFET LDMOS 26V 16PFP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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更多MRF9002NR2供應(yīng)商 更新時間2025-2-15 10:30:00