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MRF9045LSR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRF9045LSR1
廠商型號(hào)

MRF9045LSR1

參數(shù)屬性

MRF9045LSR1 封裝/外殼為NI-360S;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 945MHZ NI-360S

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

NI-360S

文件大小

227.43 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 13:58:00

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MRF9045LSR1規(guī)格書(shū)詳情

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applications in 28 volt base station equipment.

? Typical Two-Tone Performance at 945 MHz, 28 Volts

Output Power — 45 Watts PEP

Power Gain — 18.8 dB

Efficiency — 42

IMD — -32 dBc

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 Watts CW Output Power

Features

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40μ″ Nominal.

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF9045LSR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    945MHz

  • 增益:

    18.8dB

  • 功率 - 輸出:

    45W

  • 封裝/外殼:

    NI-360S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-360S

  • 描述:

    FET RF 65V 945MHZ NI-360S

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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