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MRFE6VP6300HR3

RF Power Field Effect Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6VP6300HR3

RF Power Field Effect Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6VP6300HR3

RF Power Field Effect Transistors

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRFE6VP6300HR3

Package:NI-780-4;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRFE6VP6300HR3_11

RF Power Field Effect Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRFE6VP6300HR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    230MHz

  • 增益:

    26.5dB

  • 功率 - 輸出:

    300W

  • 封裝/外殼:

    NI-780-4

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780-4

  • 描述:

    FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRFE6VP6300HR3供應(yīng)商 更新時間2025-5-21 13:31:00