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MRFG35002N6T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
![MRFG35002N6T1](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號(hào) |
MRFG35002N6T1 |
參數(shù)屬性 | MRFG35002N6T1 封裝/外殼為PLD-1.5;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 |
功能描述 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
封裝外殼 | PLD-1.5 |
文件大小 |
193.5 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
freescale【飛思卡爾】 |
中文名稱(chēng) | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-14 17:43:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
MRFG35002N6T1
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類(lèi)型:
pHEMT FET
- 頻率:
3.55GHz
- 增益:
10dB
- 功率 - 輸出:
1.5W
- 封裝/外殼:
PLD-1.5
- 供應(yīng)商器件封裝:
PLD-1.5
- 描述:
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Freescale |
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