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    1. 首頁(yè)>MS1004>規(guī)格書詳情

      MS1004分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

      MS1004
      廠商型號(hào)

      MS1004

      參數(shù)屬性

      MS1004 封裝/外殼為M177;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 55V 30MHZ M177

      功能描述

      10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
      RF TRANS NPN 55V 30MHZ M177

      封裝外殼

      M177

      文件大小

      119.55 Kbytes

      頁(yè)面數(shù)量

      2 頁(yè)

      生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
      企業(yè)簡(jiǎn)稱

      Microsemi美高森美

      中文名稱

      美高森美公司官網(wǎng)

      原廠標(biāo)識(shí)
      數(shù)據(jù)手冊(cè)

      原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

      更新時(shí)間

      2025-2-12 18:14:00

      MS1004規(guī)格書詳情

      MS1004屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的MS1004晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

      10 Amp Schottky Barrier Rectifiers

      ● Schottky barrier rectifer

      ● Guard ring protection

      ● Low power loss, high efficiency

      ● VRRM 30 to 40 Volts

      ● Reverse energy tested)

      產(chǎn)品屬性

      更多
      • 產(chǎn)品編號(hào):

        MS1004

      • 制造商:

        Microsemi Corporation

      • 類別:

        分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

      • 包裝:

        托盤

      • 晶體管類型:

        NPN

      • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

        55V

      • 頻率 - 躍遷:

        30MHz

      • 增益:

        14.5dB

      • 功率 - 最大值:

        330W

      • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

        15 @ 10A,6V

      • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

        40A

      • 工作溫度:

        200°C(TJ)

      • 安裝類型:

        底座安裝

      • 封裝/外殼:

        M177

      • 供應(yīng)商器件封裝:

        M177

      • 描述:

        RF TRANS NPN 55V 30MHZ M177

      供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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