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MS1226分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MS1226
廠商型號(hào)

MS1226

參數(shù)屬性

MS1226 封裝/外殼為M113;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

封裝外殼

M113

文件大小

454.5 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-20 16:05:00

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MS1226規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION:

The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability.

Features

30 MHz

28 VOLTS

IMD = -28 dB

POUT = 30 WATTS

GP = 18 dB MINIMUM

COMMON EMITTER CONFIGURATION

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MS1226

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    36V

  • 頻率 - 躍遷:

    30MHz

  • 增益:

    18dB

  • 功率 - 最大值:

    80W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 500mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    4.5A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    M113

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M113

  • 描述:

    RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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