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MS1261分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MS1261
廠商型號(hào)

MS1261

參數(shù)屬性

MS1261 封裝/外殼為M122;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 18V 175MHZ M122

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS

封裝外殼

M122

文件大小

97.37 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-19 18:43:00

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MS1261規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The MS1261 is a Class C 12.5V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for UHF communications. This devices utilizes a gold metallized, emitter ballasted die geometry for superior reliability and infinite VSWR capability.

? Features

? 175 MHz

? 12.5 VOLTS

? POUT = 15 WATTS

? Gp = 12 dB MINIMUM

? INPUT IMPEDANCE MATCHING

? COMMON EMITTER CONFIGURATION

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MS1261

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    18V

  • 頻率 - 躍遷:

    175MHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    34W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 250mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    2.5A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座,接線柱安裝

  • 封裝/外殼:

    M122

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M122

  • 描述:

    RF TRANS NPN 18V 175MHZ M122

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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