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MSD1819A-RT1G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MSD1819A-RT1G
廠商型號

MSD1819A-RT1G

參數(shù)屬性

MSD1819A-RT1G 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3

功能描述

General Purpose Amplifier Transistor
TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

215.02 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 15:14:00

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MSD1819A-RT1G規(guī)格書詳情

MSD1819A-RT1G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MSD1819A-RT1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MSD1819A-RT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 10mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    210 @ 2mA,10V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應商器件封裝:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
18+
SOT-323
85600
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
詢價
ON
23+
SOT323
8560
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ON
22+
NA
2189
原裝正品支持實單
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三年內(nèi)
1983
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SOT-323
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ON Semiconductor
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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ON/安森美
23+
10000
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ON/安森美
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ON/安森美
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