MSD601分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MSD601 |
| 參數(shù)屬性 | MSD601 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 50V 0.1A SC59 |
| 功能描述 | NPN General Purpose Transistors |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
431.3 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Weitron Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
WEITRON |
| 中文名稱 | Weitron Technology |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-19 14:37:00 |
| 人工找貨 | MSD601價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
MSD601規(guī)格書詳情
NPN General Purpose Transistors
P/b Lead(Pb)-Free
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MSD601-RT1G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
管件
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 10mA，100mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
210 @ 2mA，10V
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SC-59
- 描述：
TRANS NPN 50V 0.1A SC59
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
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10000 |
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