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DS2016-100

2kx83V/5VOperationStaticRAM

DESCRIPTION TheDS20162kx83V/5VOperationStaticRAMisa16,384-bit,low-power,fullystaticrandomaccessmemoryorganizedas2048wordsby8bitsusingCMOStechnology.Thedeviceoperatesfromasinglepowersupplywithavoltageinputbetween2.7and5.5volts.Thechipenableinput(CE

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

SRU2016-100Y

ShieldedSMDPowerInductors

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

SRU2016-100Y

ShieldedSMDPowerInductors

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

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更多MSLB-2016-100M供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-18 15:36:00

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