MT40A1G8SA-062E:J_集成電路（IC）存儲器-美光科技

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廠家型號：
MT40A1G8SA-062E:J
制造商：
ELPIDA/美光科技
庫存數(shù)量：
0
類別：
集成電路（IC）存儲器
封裝外殼：
78-TFBGA
包裝：
托盤
安裝類型：
表面貼裝型
更新時間：
2025-2-22 9:26:00

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原廠料號：MT40A1G8SA-062E:J品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

MT40A1G8SA-062E:J是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ELPIDA/美光科技生產(chǎn)封裝78-TFBGA的MT40A1G8SA-062E:J存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

芯片型號：
mt40a1g8sa-062e:j
規(guī)格書：
下載
企業(yè)簡稱：
ELPIDA【美光科技】詳情
廠商全稱：
Elpida Memory
中文名稱：
美光科技股份有限公司
資料說明：
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
MT40A1G8SA-062E
制造商：
Micron Technology Inc.
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
DRAM
技術：
SDRAM - DDR4
存儲容量：
8Gb（1G x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
15ns
電壓 - 供電：
1.14V ~ 1.26V
工作溫度：
0°C ~ 95°C（TC）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
78-TFBGA
供應商器件封裝：
78-FBGA（7.5x11）
描述：
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

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MT40A1G8SA-062E:J_集成電路（IC） 存儲器-美光科技

MT40A1G8SA-062E:J

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