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MTP3055V中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MTP3055V
廠商型號

MTP3055V

功能描述

TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.15 OHM

文件大小

160.41 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-11 22:58:00

MTP3055V規(guī)格書詳情

TMOS V? Power Field Effect Transistor

N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.15 OHM

TMOSV is a new technology designed to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density of our

50and 60 volt TMOS devices. Just as with our TMOSE–FET designs,TMOSV is designed to with stand high energy in the avalanche and commutation modes.

New Features of TMOS V

? On–resistance Area Product about One–half that of Standard

MOSFETs with New Low Voltage, Low RDS(on)Technology

? Faster Switching than E–FET Predecessors

Features Common to TMOS V and TMOS E–FETS

? Avalanche Energy Specified

? IDSSand VDS(on)Specified at Elevated Temperature

? Static Parameters are the Same for both TMOS V and TMOS E–FET

產品屬性

  • 型號:

    MTP3055V

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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