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MTP60N06HD

TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM

Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP60N06HD

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

MTP60N06HD

N??hannel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NP60N06MLK

60V??60A??N-channelPowerMOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP60N06MLK

60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description NP60N06MLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=8.1m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP60N06PDK

60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description NP60N06PDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=7.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP60N06PDK

N-channelPowerMOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP60N06PLK

60V??60A??N-channelPowerMOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP60N06PLK

60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description NP60N06PLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=7.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP60N06VDK

60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description NP60N06VDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=7.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MTP60N06HD

  • 功能描述：

    MOSFET DISC BY MFG 2/02

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
19+
TO-220
9187
詢價
ONS
24+
80
詢價
MOT
06+
TO-220
5000
自己公司全新庫存絕對有貨
 詢價
ON
23+
TO-220
6893
詢價
ON
17+
TO-220
6200
詢價
ON
24+
TO-220
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
ON
23+
TO-220
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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2020+
TO-220A
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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VBsemi(臺灣微碧)
2447
TO220AB
105000
50個/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期
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ON(安森美)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務做口碑有支持
 詢價
更多MTP60N06HD供應商 更新時間2025-3-31 16:06:00

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