首頁>MURTA200120R>規(guī)格書詳情
MURTA200120R分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-陣列規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
MURTA200120R |
參數(shù)屬性 | MURTA200120R 封裝/外殼為三塔;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-陣列;產(chǎn)品描述:DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER |
功能描述 | Silicon Super Fast Recovery Diode |
封裝外殼 | 三塔 |
文件大小 |
771.35 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | GeneSiC Semiconductor, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
GENESIC |
中文名稱 | GeneSiC Semiconductor, Inc.官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-21 15:55:00 |
人工找貨 | MURTA200120R價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MURTA200120R
- 制造商:
GeneSiC Semiconductor
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列
- 包裝:
散裝
- 二極管配置:
1 對共陽極
- 二極管類型:
標準
- 電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):
100A
- 速度:
標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)
- 工作溫度 - 結:
-55°C ~ 150°C
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
三塔
- 供應商器件封裝:
三塔
- 描述:
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER