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MW6S004NT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MW6S004NT1
廠商型號

MW6S004NT1

參數(shù)屬性

MW6S004NT1 封裝/外殼為PLD-1.5;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5

功能描述

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

PLD-1.5

文件大小

527.99 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-25 17:22:00

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MW6S004NT1規(guī)格書詳情

1-2000 MHz, 4 W, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET

Designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies up to 2000 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications.

? Typical Two-Tone Performance @ 1960 MHz, 28 Volts, IDQ = 50 mA, Pout = 4 Watts PEP

Power Gain — 18 dB

Drain Efficiency — 33

IMD — -34 dBc

? Typical Two-Tone Performance @ 900 MHz, 28 Volts, IDQ = 50 mA, Pout = 4 Watts PEP

Power Gain — 19 dB

Drain Efficiency — 33

IMD — -39 dBc

? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1960 MHz, 4 Watts CW Output Power

Features

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? On-Chip RF Feedback for Broadband Stability

? Integrated ESD Protection

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MW6S004NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.96GHz

  • 增益:

    18dB

  • 功率 - 輸出:

    4W

  • 封裝/外殼:

    PLD-1.5

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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