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N01L63W3AB25I集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

N01L63W3AB25I
廠商型號

N01L63W3AB25I

參數(shù)屬性

N01L63W3AB25I 封裝/外殼為48-LFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48BGA

功能描述

1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 64K ? 16 bit
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48BGA

封裝外殼

48-LFBGA

文件大小

647.89 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-22 14:15:00

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N01L63W3AB25I規(guī)格書詳情

N01L63W3AB25I屬于集成電路(IC)的存儲器。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的N01L63W3AB25I存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    N01L63W3AB25I

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    55ns

  • 電壓 - 供電:

    2.3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-LFBGA

  • 供應商器件封裝:

    48-BGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48BGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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