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N4230A

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是德科技是德科技（中國）有限公司

PBSS4230PAN

30V,2ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor

1.Generaldescription NPN/NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4230PANP.PNP/PNPcomplement:PBSS5230PAP. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollec

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS4230PAN

30V,2ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor

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恩智浦恩智浦半導體公司

PBSS4230PANP

30V,2ANPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor

1.Generaldescription NPN/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PBSS4230PAN.PNP/PNPcomplement:PBSS5230PAP. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollect

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PBSS4230PANP

30V,2ANPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor

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PBSS4230QA

30V,2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

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恩智浦恩智浦半導體公司

PBSS4230QA

30V,2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. PNPcomplement:PBSS5230QA. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollector-

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PBSS4230T

30V,2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiencyleadingtolessheatgeneration ?Reducedprinted-circuitboardrequirements ?CosteffectivealternativetoMOSFETsinspecificapplications. APPLICATIONS ?Powermanagem

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PBSS4230T

NPNlowVCEsat(BISS)transistor

DESCRIPTION NPNBISStransistorinaSOT23plasticpackageprovidingultralowVCEsatandRCEsatparameters. PNPcomplement:PBSS5230T. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiencyleadingtolessheatgeneration

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飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4230T

LowVCEsat(BISS)transistors

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