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N6001NZ-S29-AY

N-channel MOSFET 600V, 1A, 9.3Ω

Description TheN6001NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=9.3ΩMAX.(VGS=10V,ID=0.5A) ?Lowinputcapacitance Ciss=215pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) ?Highcurrent ID(DC)=±1.0

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