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N6003NZ-S17-AY

N-channel MOSFET 600V, 2A, 4.4Ω

Description TheN6003NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=4.4ΩMAX.(VGS=10V,ID=1.0A) ?Lowinputcapacitance Ciss=400pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) ?Highcurrent ID(DC)=±2.0

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瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多N6003NZ-S17-AY供應商 更新時間2025-5-18 9:12:00

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