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NAND02GW3B2DN6E

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

NUMONYX

numonyx

NAND02GW3B2DN6E

Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

NAND02GW3B2DN6F

2-Gbit,2112-byte/1056-wordpagemultiplanearchitecture,1.8Vor3V,NANDflashmemories

NUMONYX

numonyx

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NAND02GW3B2DN6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲(chǔ)容量：

    2Gb（256M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TSOP

  • 描述：

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多NAND02GW3B2DN6E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-21 15:22:00

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