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NCE30NP1812K

Marking：NCE30NP1812K；Package：TO-252-4L；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE30NP1812Kusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.The complementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevelshifted highsideswitch,andforahostofotherapplications. GeneralFeatures ●N-Channel VDS=30V,ID=18A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE30NP1812G

NCEN-ChannelandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE30NP1812Gusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceis suitableforuseininverterandotherapplications. GeneraFeatures N-channelP-channel ●VDS=30V,ID=18A●VDS=-30V,ID=-12A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE30NP1812Q

NCEN-ChannelandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE30NP1812Qusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceis suitableforuseininverterandotherapplications. GeneraFeatures N-channelP-channel ●VDS=30V,ID=18A●VDS=-30V,ID=-12A RDS(ON)

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更多NCE30NP1812K供應商 更新時間2025-5-4 18:30:00

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