NCE60ND08S中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	NCE60ND08S
功能描述	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
絲印標識	NCE60ND08S
封裝外殼	SOP-8
文件大小	409.36 Kbytes
頁面數(shù)量	7 頁
生產(chǎn)廠商	Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡稱	NCEPOWER【無錫新潔能股份】
中文名稱	無錫新潔能股份有限公司官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-5-7 20:00:00
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Description

The NCE60ND08S uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Features

● VDS = 60V,ID =8A

RDS(ON) < 20mΩ @ VGS=10V (Typ:15.6mΩ)

RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=4.5V (Typ:20mΩ)

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Low gate to drain charge to reduce switching losses

Application

● Power switching application

● Load switch

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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