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NDD02N60Z-1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
NDD02N60Z-1G |
| 功能描述 | N-Channel Power MOSFET |
| 文件大小 |
148.07 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-22 12:13:00 |
| 人工找貨 | NDD02N60Z-1G價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NDD02N60Z-1G
- 功能描述：
MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
TO-251 |
9000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON |
15+ |
TO-251 |
539 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
2022+ |
TO-251 |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-251 |
103269 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
DPAK |
6000 |
進(jìn)口原裝正品假一賠十,貨期7-10天 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-251 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
TO-251 |
12588 |
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ON |
2020+ |
TO251 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
ON |
2016+ |
TO-251 |
3900 |
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO251 |
25600 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) |
