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NDS0610_ONSEMI/安森美半導體_MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode高捷芯城一部
- 詳細信息
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產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NDS0610
- 功能描述:
MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市高捷芯城科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
莊小姐
- 手機:
19076157814
- 詢價:
- 電話:
0755-83061789
- 傳真:
0755-82550578
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華富路1006號航都大廈10層
相近型號
- NDS0001E-LF
- NDS332P
- NDS0001B-LF
- NDS332PMOS
- NDR-480-24
- NDR-240-24
- NDS332P-NL
- NDR-120-24
- NDR-120-12
- NDS335N
- NDPL100N10BG
- NDS335N-NL
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- NDS338P-NL
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