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RB451F

Schottkybarrierdiode

Features ●Smallsurfacemountingtype.(UMD3) ●LowVF.(VF=0.45VTyp.at100mA) ●Highreliability.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

RB451F

SchottkyBarrierDiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RB451F

SchottkyBarrierDiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RB451F_

Shottkybarrierdiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RB451UM

SchottkyBarrierDiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RB451UMFH

SchottkyBarrierDiode

?Application Smallcurrentrectification ?Features 1)Ultrasmallmoldtype (UMD3F) 2)Highreliability 3)SuperlowVF

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RKP451KE

UltrasmallPackageCompositePinDiodeforAntennaSwitching

Features ?Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. ?Lowcapacitance.(C=0.35pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.3?max) ?Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludeConformitytoRoHSDirective. ?UltrasmallPackage(1.63mm×0.67mmSizeleadlessty

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RNBD451

RNBD451Bluetooth?LowEnergyModuleDataSheet

Features ?Fully-certifiedBluetoothLowEnergyModule ?CompactFormFactor ?On-boardBluetooth5.2LowEnergyStack ?ASCIICommandInterfaceAPIoverUART ?ASCIICommandsareBackwardCompatiblewithRN487xFamilyofModules ?DefinableBeaconFeaturetoMakeVariousBeacons,suchasiB

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

RNBD451PE

RNBD451Bluetooth?LowEnergyModuleDataSheet

Features ?Fully-certifiedBluetoothLowEnergyModule ?CompactFormFactor ?On-boardBluetooth5.2LowEnergyStack ?ASCIICommandInterfaceAPIoverUART ?ASCIICommandsareBackwardCompatiblewithRN487xFamilyofModules ?DefinableBeaconFeaturetoMakeVariousBeacons,suchasiB

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

RNBD451PE-I

RNBD451Bluetooth?LowEnergyModuleDataSheet

Features ?Fully-certifiedBluetoothLowEnergyModule ?CompactFormFactor ?On-boardBluetooth5.2LowEnergyStack ?ASCIICommandInterfaceAPIoverUART ?ASCIICommandsareBackwardCompatiblewithRN487xFamilyofModules ?DefinableBeaconFeaturetoMakeVariousBeacons,suchasiB

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NDT451

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-223
50000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
ON/安森美
24+
TO-223
505348
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
FSC
17+
SOT-223
6200
詢價
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
NSC
6000
面議
19
S/SOT-223
 詢價
仙童
24+
TO-223
35200
一級代理/放心采購
 詢價
IR
23+
SO-8
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
 詢價
仙童
08+
TO-223
50000
普通
 詢價
FAIRCHILD/仙童
2022+
TO-223
50000
原廠代理 終端免費提供樣品
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
SOT-223
89630
當天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
更多NDT451供應(yīng)商 更新時間2025-4-7 16:36:00

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