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NE202930-T1-A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE202930-T1-A
廠商型號

NE202930-T1-A
參數(shù)屬性

NE202930-T1-A 封裝/外殼為SC-70，SOT-323；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 6V 11GHZ SOT323
功能描述

Silicon NPN Epitaxial High Frequency Transistor
RF TRANS NPN 6V 11GHZ SOT323
封裝外殼

SC-70，SOT-323
文件大小

571.67 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二
更新時間

2025-2-12 12:17:00

NE202930-T1-A規(guī)格書詳情

NE202930-T1-A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE202930-T1-A晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

FEATURES

? High transition frequency fT = 11 GHz TYP.

? Ideal for low noise and low distortion amplification

? Suitable for equipments of low collector voltage (Less than 5 V)

? Suitable for up to 1 GHz applications

???????

APPLICATIONS

? LNA (Low Noise Amplifier) or power splitter for digital-TV

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NE202930-T1-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    6V

  • 頻率 - 躍遷：

    11GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.15dB @ 1GHz

  • 增益：

    13.5dB

  • 功率 - 最大值：

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    85 @ 5mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-323

  • 描述：

    RF TRANS NPN 6V 11GHZ SOT323

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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