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NE325S01-T1B中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE325S01-T1B
廠商型號

NE325S01-T1B

功能描述

C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件大小

60.53 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-7 20:00:00

NE325S01-T1B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE325S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.

FEATURES

? Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.45 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. at f = 12 GHz

? Gate Length: Lg ≤ 0.20 μm

? Gate Width : Wg = 200 μm

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE325S01-T1B

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
23+
NA/
1000
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
22+
SMT-86
25000
只有原裝原裝,支持BOM配單
詢價
NEC
2023+
SOT86
3685
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
詢價
NEC
24+
SMD
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價
NEC
04+
SO86
8175
詢價
NEC
2016+
SMT86
6528
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!
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NEC
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價
NEC
22+
SMD
489
只做原裝正品
詢價
6000
面議
19
DIP/SMD
詢價
NEC
SMT86
34936
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價