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NE3512S02-T1C-A 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 NEC/瑞薩

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

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  • 廠家型號(hào)：

    NE3512S02-T1C-A

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NEC

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    50000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SMT4

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-11 13:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：NE3512S02-T1C-A品牌：NEC

全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

  • 芯片型號(hào)：

    NE3512S02-T1C-A

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    CEL詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    California Eastern Labs

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    270.66 kb

  • 資料說(shuō)明：

    HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

產(chǎn)品參考屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NE3512S02-T1C-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型：

    HFET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13.5dB

  • 額定電流（安培）：

    70mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.35dB

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線(xiàn)

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    S02

  • 描述：

    HJ-FET NCH 13.5DB S02

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳嘉嘉

  • 手機(jī)：

    18938923845

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-83137789

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A棟17e

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