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NE3512S02分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3512S02
廠商型號

NE3512S02
參數(shù)屬性

NE3512S02 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：HJ-FET NCH 13.5DB S02
功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
HJ-FET NCH 13.5DB S02
封裝外殼

4-SMD，扁平引線
文件大小

270.66 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二
更新時間

2025-5-23 11:47:00
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NE3512S02規(guī)格書詳情

NE3512S02屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3512S02晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NE3512S02-T1C-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13.5dB

  • 額定電流（安培）：

    70mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.35dB

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應商器件封裝：

    S02

  • 描述：

    HJ-FET NCH 13.5DB S02

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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