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NE4210S01-T1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE4210S01-T1
廠商型號

NE4210S01-T1

參數(shù)屬性

NE4210S01-T1 封裝/外殼為4-SMD;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:HJ-FET 13DB S01

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

封裝外殼

4-SMD

文件大小

199.83 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-7 19:06:00

NE4210S01-T1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE4210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.

FEATURES

? Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.5 dB TYP. Ga = 13.0 dB TYP. @f = 12 GHz

? Gate Length: Lg £ 0.20 mm

? Gate Width : Wg = 160 mm

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE4210S01-T1B

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    HFET

  • 頻率:

    12GHz

  • 增益:

    13dB

  • 額定電流(安培):

    15mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.5dB

  • 封裝/外殼:

    4-SMD

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SMD

  • 描述:

    HJ-FET 13DB S01

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
22+
SMT
25000
只有原裝原裝,支持BOM配單
詢價
RENESAS
20+
SMT86
49000
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進口原裝 終端工廠免費送樣
詢價
RENESAS
24+
TO-50
5000
十年沉淀唯有原裝
詢價
RENESAS(瑞薩)/IDT
20+
SMD
4000
詢價
NEC
23+
SMT86
734
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價
RENESAS
24+
SMD
5270
長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實單可談
詢價
SMD
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
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RENESAS
2020+
SMT86
5691
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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NEC?
24+
DIP
16800
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!
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