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SZ5517

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: *CompleteVoltageRange3.9to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree

EIC

EIC discrete Semiconductors

SZ5517

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

Features Lowleakagecurrent Highreliability Highpeakreversepowerdissipation CompleteVoltageRange3.9to200Volts

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

UR5517

3ADDRBUSTERMINATIONREGULATOR

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

UR5517

3ADDRBUSTERMINATIONREGULATOR

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

UR5517

3ADDRBUSTERMINATION

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

UZ5517

ElectricalSpecificationsat25oC

ZenerDiodes ElectricalSpecificationsat25°C

AMMSEMIAmerican Microsemiconductor

美國微半導(dǎo)體有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    NE5517D

  • 功能描述:

    跨導(dǎo)放大器 Transconductance

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 通道數(shù)量:

    1

  • 封裝/箱體:

    SOIC-14

  • 輸入補償電壓:

    40 mV at +/- 5 V

  • 電源電壓-最大:

    +/- 5 V

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 最小工作溫度:

    - 40 C

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NE5517D供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 15:38:00