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NE552R679A-T1A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE552R679A-T1A
廠商型號

NE552R679A-T1A

參數(shù)屬性

NE552R679A-T1A 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG

功能描述

3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS

封裝外殼

4-SMD,扁平引線

文件大小

68.5 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-9 19:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE552R679A-T1A-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    460MHz

  • 增益:

    20dB

  • 額定電流(安培):

    350mA

  • 功率 - 輸出:

    28dbm

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    79A

  • 描述:

    FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG

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