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NE5550779A-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE5550779A-T1
廠商型號

NE5550779A-T1

參數(shù)屬性

NE5550779A-T1 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG

功能描述

Silicon Power LDMOS FET

封裝外殼

4-SMD,扁平引線

文件大小

3.20669 Mbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-8 13:00:00

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NE5550779A-T1規(guī)格書詳情

FEATURES

? High Output Power : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)

? High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)

? High Linear gain : GL = 22.0 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 10 dBm)

? High ESD tolerance

? Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE5550779A-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    900MHz

  • 增益:

    22dB

  • 額定電流(安培):

    2.1A

  • 功率 - 輸出:

    38.5dBm

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    79A

  • 描述:

    FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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