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NE68130-T1分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE68130-T1
廠商型號

NE68130-T1

參數屬性

NE68130-T1 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323

功能描述

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

663.14 Kbytes

頁面數量

21

生產廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-18 20:00:00

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NE68130-T1規(guī)格書詳情

NE68130-T1屬于分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由California Eastern Labs制造生產的NE68130-T1晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    NE68130-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    7GHz

  • 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):

    1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz

  • 增益:

    9dB ~ 13.5dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 7mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應商器件封裝:

    SOT-323

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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