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NE68719-T1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE68719-T1
廠商型號

NE68719-T1

參數(shù)屬性

NE68719-T1 封裝/外殼為SOT-523;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 3V 11GHZ 3SMINMOLD

功能描述

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

封裝外殼

SOT-523

文件大小

196.62 Kbytes

頁面數(shù)量

21

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-23 11:30:00

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NE68719-T1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE687 series of NPN epitaxial silicon transistors are designed for low cost, low noise applications. Excellent performance at low voltage/low current makes this series an ideal choice for portable wireless applications at 1.6, 1.9 and 2.4 GHz. The NE687 die is available in six different low cost plastic surface mount package styles.

FEATURES

? LOW NOISE: 1.3 dB AT 2.0 GHz

? LOW VOLTAGE OPERATION

? EASY TO MATCH

? HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT of 13 GHz

? AVAILABLE IN SIX LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE STYLES

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE68719-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    3V

  • 頻率 - 躍遷:

    11GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.3dB ~ 2dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    90mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 20mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-523

  • 供應商器件封裝:

    3 針 SuperMiniMold(19)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 3V 11GHZ 3SMINMOLD

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
23+
SOT-423
50000
原裝正品 支持實單
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NEC(VA)
23+
原廠封裝
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振宏微原裝正品,假一罰百
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SOT-423
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原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單!
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SOT423
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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SOT343
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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24+
SOT323
10000
公司現(xiàn)貨
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NEC
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SOT423
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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