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NE8500100-RG中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NE8500100-RG
廠商型號(hào)

NE8500100-RG

功能描述

1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

文件大小

41.14 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-22 12:38:00

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NE8500100-RG規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

The NE8500199 Power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on.

NE8500100 is the two-cells recessed gate chip used in ‘99’ package.

The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS. (Plated Heat Sink)

NEC’s strigent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

? Class A operation

? High power output

? High reliability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NE8500100-RG

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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