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NE851M13分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE851M13
廠商型號

NE851M13

參數(shù)屬性

NE851M13 封裝/外殼為SOT-3;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:TRANS NPN LOW PRO M13 SMD

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR
TRANS NPN LOW PRO M13 SMD

封裝外殼

SOT-3

文件大小

277.1 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-22 14:43:00

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NE851M13規(guī)格書詳情

NE851M13屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE851M13晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NE851M13-T3-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    5.5V

  • 頻率 - 躍遷:

    4.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ

  • 功率 - 最大值:

    140mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 5mA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-3

  • 供應商器件封裝:

    M13

  • 描述:

    TRANS NPN LOW PRO M13 SMD

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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