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NE85633-T1B-A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE85633-T1B-A
廠商型號(hào)

NE85633-T1B-A

參數(shù)屬性

NE85633-T1B-A 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

功能描述

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

832.78 Kbytes

頁面數(shù)量

26

生產(chǎn)廠商 celduc Relais
企業(yè)簡稱

CELDUC凡紀(jì)繼電器

中文名稱

凡紀(jì)繼電器(上海)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-8 13:59:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE85633-T1B-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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