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NE85639R

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NE85639R-T1

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE85639R-T1

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CELDUCcelduc Relais

凡紀繼電器凡紀繼電器(上海)有限公司

NE85639R-T1

Package:SOT-143R;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R

CEL

California Eastern Labs

NE85639R-T1-A

Package:SOT-143R;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R

CEL

California Eastern Labs

NE85639

NONLINEARMODEL

CEL

California Eastern Labs

NE85639

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

詳細參數(shù)

  • 型號:

    NE85639R

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NE85639R供應(yīng)商 更新時間2025-3-29 16:44:00