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NES1823M-180-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
NES1823M-180-A |
| 功能描述 | GaAs FET 180 W L, S-BAND PUSH-PULL POWER GaAs FET |
| 文件大小 |
287.57 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-4 23:00:00 |
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NES1823M-180-A規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NES1823M-180 is a 180 W push-pull type GaAs FET designed for high power transmitter applications for IMT-
2000 base station systems. It operates at 12 V and is capable of delivering 180 W of output power (CW) with high
linear gain, high efficiency and low distortion. Its primary band is 1.8 to 2.3 GHz. The device employs 0.7 μm
Tungsten Silicide gates, via holes, plated heat sink, and silicon dioxide passivation for superior performance, thermal
characteristics, and reliability.
FEATURES
? Push-pull type GaAs FET
? VDS = 12.0 V operation
? High output power: Pout = 180 W TYP.
? High linear gain: GL = 12.5 dB TYP.
? High power added efficiency: ηadd = 48 TYP. @ VDS = 12.0 V, IDset = 2.0 A (total), f = 2.17 GHz
? Hollow plastic package
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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DC-DC |
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