首頁>NESG2021M16-A>規(guī)格書詳情

NESG2021M16-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NESG2021M16-A
廠商型號(hào)

NESG2021M16-A

功能描述

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)

文件大小

120.23 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-5-4 9:06:00

人工找貨

NESG2021M16-A價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

NESG2021M16-A規(guī)格書詳情

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)

FEATURES

? The device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications

NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 22.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

? 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 PKG)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NESG2021M16-A

  • 功能描述:

    射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
24+
N/A
64000
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
詢價(jià)
RENESAS
23+
6-PINM
5427
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
NEC
24+
SOT-343
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!
詢價(jià)
NEC
22+
SOT343
3000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
RENESAS
24+
6-PINM
5427
進(jìn)口原裝
詢價(jià)
CEL
2022+
M04
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
RENESAS
20+
6-PINM
5427
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十
詢價(jià)
CALMIRCO
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
詢價(jià)
RENESAS
2023+
6-PINM
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
24+
NA/
9920
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價(jià)