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NESG2031M16-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
NESG2031M16-A |
功能描述 | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG) |
文件大小 |
119.15 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
企業(yè)簡稱 |
NEC【瑞薩】 |
中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-3 22:30:00 |
人工找貨 | NESG2031M16-A價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NESG2031M16-A規(guī)格書詳情
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
FEATURES
? The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification
NF = 0.8 dB TYP., Ga = 17.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.2 GHz
? Maximum stable power gain: MSG = 21.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V
? 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 PKG)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
NESG2031M16-A
- 功能描述:
射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency
- RoHS:
否
- 制造商:
Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓
- 封裝:
Reel
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
SOT343 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+ |
SOT343 |
3000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
19+ |
SOT343 |
87069 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠; |
詢價(jià) | ||
NEC |
17+ |
SOT343 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SMD |
16200 |
新進(jìn)庫存/原裝 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
SOT-563 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
CEL |
16+ |
SOT-523 |
15000 |
鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠鋒牸鍙皥! |
詢價(jià) | ||
CEL |
2022+ |
SOT-523 |
20000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨.假一罰十 |
詢價(jià) | ||
CEL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) |