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NESG2101M05-T1中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NESG2101M05-T1
廠商型號(hào)

NESG2101M05-T1

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW

文件大小

172.81 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 23:00:00

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NESG2101M05-T1規(guī)格書(shū)詳情

NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification (125 mW)

Flat-Lead 4-Pin Thin-Type Super Minimold (M05)

FEATURES

? The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-gain amplification

? PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, ICq = 10 mA, f = 2 GHz

? NF = 0.6 dB TYP., Ga = 19.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz

? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

? Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NESG2101M05-T1

  • 功能描述:

    射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
24+
NA/
3000
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
詢價(jià)
NEC
2016+
SOT-343
3000
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
詢價(jià)
NEC
24+
SOT343
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
詢價(jià)
NEC
24+
SOT343
20000
全新原廠原裝,進(jìn)口正品現(xiàn)貨,正規(guī)渠道可含稅!!
詢價(jià)
NEC
08+
SOT-343
19500
詢價(jià)
NEC
23+
SOT343
999999
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨
詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
22+
SOT343
9000
原裝正品
詢價(jià)
RENESAS
21+
SOT-23
12588
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十
詢價(jià)
NEC
25+
SOT343
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
24+
SOT-343
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!
詢價(jià)