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NESG250134

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

NPNSiGeRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(800mW) 3-PINPOWERMINIMOLD(34PKG) FEATURES ?Thisproductissuitableformediumoutputpower(800mW)amplification PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=15dBm,f=460MHz PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=20dBm,f=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG250134

NECs NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIVATION (800mW) 3-PIN OWER MINIMOLD (34 PACKAGE)

CEL

California Eastern Labs

NESG250134-AZ

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

NPNSiGeRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(800mW) 3-PINPOWERMINIMOLD(34PKG) FEATURES ?Thisproductissuitableformediumoutputpower(800mW)amplification PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=15dBm,f=460MHz PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=20dBm,f=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG250134-T1

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

NPNSiGeRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(800mW) 3-PINPOWERMINIMOLD(34PKG) FEATURES ?Thisproductissuitableformediumoutputpower(800mW)amplification PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=15dBm,f=460MHz PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=20dBm,f=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG250134-T1-AZ

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

NPNSiGeRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(800mW) 3-PINPOWERMINIMOLD(34PKG) FEATURES ?Thisproductissuitableformediumoutputpower(800mW)amplification PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=15dBm,f=460MHz PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=20dBm,f=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG250134-A

RF & Microwave device

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG250134-AZ

NECs NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIVATION (800mW) 3-PIN OWER MINIMOLD (34 PACKAGE)

CEL

California Eastern Labs

NESG250134-T1-AZ

NECs NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIVATION (800mW) 3-PIN OWER MINIMOLD (34 PACKAGE)

CEL

California Eastern Labs

NESG250134-EV09-AZ

包裝：盒 類別：開發(fā)板，套件，編程器 射頻評估和開發(fā)套件，開發(fā)板 描述：EVAL BOARD NESG250134

CEL

California Eastern Labs

NESG250134-EVPW04

包裝：盒 類別：開發(fā)板，套件，編程器 射頻評估和開發(fā)套件，開發(fā)板 描述：EVAL BOARD NESG250134

CEL

California Eastern Labs

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NESG250134

  • 功能描述：

    射頻硅鍺晶體管 NPN Med Power Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS
23+
SOT-343
15000
只做進(jìn)口原裝假一罰百
 詢價
NEC
24+
SOT-89
2987
只售原裝自家現(xiàn)貨!誠信經(jīng)營!歡迎來電!
 詢價
RENESAS
1836+
SOT89
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價
NEC
6000
面議
19
DIP/SMD
 詢價
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費送樣
 詢價
KEXIN/科信
23+
SMD DIP
27000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
NEC
16+
SOD-89
13800
鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠鋒牸鍙皥!
 詢價
NEC
23+
TO89-4
8890
價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢
 詢價
NEC
2020+
TO-89
89
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
CEL
24+
原廠原裝
5000
原裝正品
 詢價
更多NESG250134供應(yīng)商 更新時間2025-4-25 16:25:00

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