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NESG3400M01中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NESG3400M01
廠商型號

NESG3400M01

功能描述

NPN Silicon Germanium RF Transistor

文件大小

204.57 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 19:02:00

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NESG3400M01規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NESG3400M01 is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.

FEATURES

? NF = 0.65 dB TYP. @ VCE = 3.3 V, IC = 15 mA, f = 1 GHz

? Po (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.3 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz

? OIP3 = 35.5 dBm TYP. @ VCE = 3.3 V, IC (set) = 50 mA, f = 1 GHz

? Maximum stable power gain: MSG =13.0 dB TYP. @ VCE = 3.3 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz

? SiGe HBT technology (UHS3) : fT = 10 GHz

? This product is improvement of ESD

? 6-pin super minimold (M01 PKG)

APPLICATIONS

? Suitable for up to 1 GHz applications.

e.g. LNA (Low Noise Amplifier) or Power splitter for Digital-TV.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NICHIA
10+
3014(0.52)
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費!
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