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NFAM5065L4BT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NFAM5065L4BT |
| 參數(shù)屬性 | NFAM5065L4BT 封裝/外殼為39-PowerDIP 模塊（1.413"，35.90mm），30 引線；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊；產(chǎn)品描述：3 PHASE INVERTER IPM |
| 功能描述 | Intelligent Power Module (IPM), 650 V, 50 A |
| 封裝外殼 | 39-PowerDIP 模塊（1.413"，35.90mm），30 引線 |
| 文件大小 |
292.15 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-21 14:45:00 |
| 人工找貨 | NFAM5065L4BT價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NFAM5065L4BT規(guī)格書詳情
NFAM5065L4BT屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NFAM5065L4BT功率驅(qū)動器模塊功率驅(qū)動器模塊為電源組件（通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET）提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上，后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時提供電和熱觸點以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度，并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NFAM5065L4BT
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動器模塊
- 包裝：
托盤
- 類型：
IGBT
- 配置：
三相反相器
- 電壓 - 隔離：
2500Vrms
- 封裝/外殼：
39-PowerDIP 模塊（1.413"，35.90mm），30 引線
- 描述：
3 PHASE INVERTER IPM
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2223+ |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險 |
詢價 | |||
OMRON/歐姆龍 |
23+ |
NA/ |
70 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
DIP-39 |
970 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SIP-29 |
1200 |
只做全新原裝正品現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價 | ||
ON |
23+ |
原廠原封 |
400 |
訂貨1周 原裝正品 |
詢價 | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
onsemi |
22+ |
39-PowerDIP |
12000 |
只做原裝,全新原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
SIP-29 |
10000 |
只做原裝 假一賠萬 |
詢價 | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
80000 |
詢價 |
