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NGB18N40CLB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NGB18N40CLB |
| 參數(shù)屬性 | NGB18N40CLB 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 430V 18A 115W D2PAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts |
| 封裝外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
126.96 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-29 11:54:00 |
| 人工找貨 | NGB18N40CLB價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NGB18N40CLB規(guī)格書詳情
NGB18N40CLB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGB18N40CLB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NGB18N40CLBT4G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 4V，15A
- 輸入類型：
邏輯
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK
- 描述：
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
6000 |
面議 |
19 |
DIP/SMD |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
25+ |
SOT-263 |
54558 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | ||
ON |
TO263 |
13784 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
ON |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-263 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-263 |
24190 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
23+ |
D2PAK |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
22+ |
TO-254 |
10000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
OMRON/歐姆龍 |
23+ |
DIP-4 |
69820 |
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-263 |
18000 |
原裝正品 |
詢價(jià) |
