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NGB8207ABNT4G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGB8207ABNT4G
廠商型號(hào)

NGB8207ABNT4G

參數(shù)屬性

NGB8207ABNT4G 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 365V 20A D2PAK

功能描述

Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

125.9 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-21 22:58:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGB8207ABNT4G

  • 制造商:

    Littelfuse Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 3.7V,10A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 365V 20A D2PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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