NGB8207ANT4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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廠家型號(hào)：
NGB8207ANT4G
產(chǎn)品分類(lèi)：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ON/LITTELFUSE
庫(kù)存數(shù)量：
12500
產(chǎn)品封裝：
TO-263
生產(chǎn)批號(hào)：
22+
庫(kù)存類(lèi)型：
常用庫(kù)存
更新時(shí)間：
2025-3-31 11:30:00

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原廠料號(hào)：NGB8207ANT4G品牌：ON/LITTELFUSE

原裝正品支持實(shí)單

NGB8207ANT4G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)N/LITTELFUSE/onsemi生產(chǎn)封裝TO-263/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的NGB8207ANT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

芯片型號(hào)：
NGB8207ANT4G
規(guī)格書(shū)：
下載下載2
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情
廠商全稱(chēng)：
ON Semiconductor
中文名稱(chēng)：
安森美半導(dǎo)體公司
內(nèi)容頁(yè)數(shù)：
7 頁(yè)
文件大?。?/span>
125.9 kb
資料說(shuō)明：
Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

產(chǎn)品屬性

類(lèi)型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
NGB8207ANT4G
制造商：
onsemi
類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 3.7V，10A
輸入類(lèi)型：
邏輯
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK
描述：
IGBT 365V 20A 165W D2PAK3

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市潤(rùn)聯(lián)芯城科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
姚先生
手機(jī)：
13410022949
詢價(jià)：
電話：
0755-88356848
地址：
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)B座25樓

NGB8207ANT4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NGB8207ANT4G

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

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